东芝最新力作：U-MOS11-H工艺加持 100V N沟道MOSFET TPH2R70AR5重磅登场
鼓狮快讯重磅报道，东芝半导体近日推出采用其尖端U-MOS11-H工艺技术的100V N沟道功率MOSFET TPH2R70AR5。这款新型器件在性能与效率上实现了突破性飞跃，相较于前代产品，导通电阻（RDS(ON)）显著降低了8%，栅极总电荷大幅削减37%，关键性能指标更实现了42-43%的惊人提升。
该器件专为数据中心及通信设备电源系统量身定制，通过优化传导与开关损耗，为设备提供更高效稳定的电力解决方案。其卓越性能不仅有助于提升系统整体效率，更能有效降低能耗，助力绿色环保发展。此外，该器件采用先进的SOP Advance (N)封装，兼顾了高性能与紧凑化设计需求，为空间受限的应用场景提供了理想选择。
目前，TPH2R70AR5已全面启动供货，东芝正积极面向全球市场推广这款创新产品，助力客户构建更高效、更可靠的未来电力系统。