2025年，韩国三星电子正加速其第六代1c DRAM产能扩张计划，目标在2026年底将月产能提升至20万片晶圆，这一规模将占据其DRAM总产量的三分之一。这一雄心勃勃的战略举措，旨在重新夺回此前被SK海力士超越的市场领先地位，展现其在存储芯片领域的决心与实力。
目前，三星第六代1c DRAM的良率已达到70%的业界领先水平，而用于高性能内存模块HBM4的良率更是突破50%，显示出其技术成熟度和生产效率的显著优势。值得注意的是，三星已成功敲定向全球顶级GPU制造商英伟达供货，预计从2025年第四季度起正式开始交付，这标志着其在高端AI芯片供应链中的重要布局。
当前，AI技术的迅猛发展正推动服务器DRAM需求激增，同时终端AI应用也带动着PC与移动设备的内存升级需求。在这一市场机遇下，三星正通过两大核心策略加速布局：一是持续推进平泽P4工厂的扩建工程，二是将部分旧产线成功转型为1c技术生产线。这两项举措相辅相成，不仅提升了产能规模，更优化了资源配置，为三星在AI存储领域的持续领先奠定了坚实基础。
业界普遍认为，凭借其庞大的产能优势和灵活的技术迁移策略，三星电子有望在即将到来的AI存储市场变革中重塑行业格局。其与英伟达的供货合作更是被视为这一战略的关键落子，不仅巩固了其在高端市场的地位，也为整个半导体产业链的协同发展注入了新的活力。随着1c DRAM技术的不断成熟和市场份额的逐步提升，三星正朝着重返DRAM市场王者的目标稳步迈进。