微新创想：2026年5月22日，力积电（PSMC）宣布将携手英特尔与软银旗下SAIMEMORY，在VLSI 2026会议展示新型Via-in-One TSV 3D DRAM堆叠技术。这项技术旨在满足人工智能训练和高性能计算领域日益增长的数据传输需求。
该架构通过创新设计，实现了约0.25 Tb/s/mm²的带宽以及低于0.35 W/mm²的传输功耗。这标志着在存储器性能与能效方面取得了重要突破，为未来高性能计算设备提供了更高效的数据处理能力。
技术方案采用了multi-wafer via-last工艺，结合3 μm超薄硅基底与氧化物沟槽TSV。这些设计元素共同作用，使得单层集成约1.37万个通孔，从而大幅提升了信号完整性与整体系统能效。
目前，9层堆叠结构已经完成功能与可靠性验证。这不仅证明了该技术的可行性，也为后续的大规模应用奠定了坚实基础。随着验证工作的推进，这项技术有望在未来几年内实现商业化落地。
Via-in-One TSV 3D DRAM堆叠技术的推出，预示着存储器行业在三维集成和先进封装领域的持续发展。其高带宽与低功耗特性，将为AI芯片、数据中心服务器以及高性能计算设备带来新的机遇。
