微新创想：2026年2月11日，韩国首尔SEMICON Korea展会正式拉开帷幕。在此次展会上，SK海力士副总裁李成勋透露，公司正在积极研发并推进AIP（All-in-Plug）技术。这项技术的目标是解决3D NAND闪存制造过程中面临的高堆叠工艺瓶颈问题。
当前，SK海力士采用的HARC工艺在单次蚀刻过程中只能处理100到200层，这导致需要进行多次堆栈键合操作。这种繁琐的流程不仅增加了生产成本，还降低了产品的良率与整体制造效率。
AIP技术的引入有望彻底改变这一现状。该技术能够实现一次性蚀刻超过300层，大幅简化制造步骤。通过减少重复的键合工序，AIP将有效降低生产成本，同时提升产品的良率和制造效率。
SK海力士计划在V11 NAND闪存世代中引入AIP技术。这一举措不仅体现了公司在存储技术领域的持续创新，也预示着未来NAND闪存制造工艺将向更高密度、更低能耗的方向发展。