铠侠闪迪联手展示千层级QLC NAND技术突破3D存储新高度

微新创想：2026年6月14日至18日，铠侠与闪迪将在美国夏威夷举行的VLSI Symposium研讨会上联合展出多层堆叠单元架构QLC NAND闪存。此次展示标志着他们在3D NAND技术领域的重大进展，目标是突破1000层的极限。

微新创想：双方已提前公布MSA-CBA器件架构及FIB-SEM堆叠图像，为行业提供了宝贵的参考。这些图像和数据不仅展示了技术的可行性，也为未来存储设备的发展方向提供了清晰的指引。

微新创想：铠侠在2024年提出了千层路线图，计划在2027年实现1000字线3D NAND及100 Gbit/mm²的存储密度。这一目标的达成将极大地提升存储产品的性能与容量，满足日益增长的数据存储需求。

微新创想：除了铠侠与闪迪的合作，三星也在积极探索类似的晶圆堆叠方案。不过，三星的策略更加稳健，注重技术的成熟度和量产能力，以确保其在市场上的竞争力。

微新创想：随着3D NAND技术的不断进步，存储行业正迎来一场新的变革。更高的层数意味着更大的存储密度，同时也带来了更高的数据读写速度和更低的功耗，为未来的智能设备和数据中心提供了更强的支持。