随着人工智能基础设施建设的蓬勃发展，高带宽内存（HBM）的需求呈现爆发式增长，这一趋势正深刻影响着通用DRAM市场格局。行业研究报告显示，由于HBM产能的快速扩张持续挤压通用DRAM的晶圆代工份额，当前市场已陷入明显的供不应求状态，导致消费级内存产品价格出现显著波动。
据《朝鲜日报》最新报道，为应对可能长期化的供应短缺风险，部分中国企业与美国下游企业已率先行动，与三星电子、SK海力士等全球市场领导者签订了为期2-3年的中期供应协议。这一举措打破了传统按季度或年度签订合同的惯例，充分反映出下游企业对远期供应链稳定的强烈渴求。
业内人士指出，HBM产品凭借更高的利润率，已成为主要内存厂商的战略优先发展方向。部分企业甚至将原有的通用DRAM产线改造为HBM专用生产线，这种产能结构的调整在内存需求整体上升的背景下，进一步加剧了通用DRAM市场的供给压力。未来，随着AI技术的持续渗透，HBM与通用DRAM的供需关系或将持续演变，市场参与者需密切关注这一动态变化。
