微新创想：2026年2月25日，比利时imec研究中心在测试平台证实：在50%氧气浓度环境下，金属氧化物光刻胶（MOR）烘烤进程加速15%–20%。这一发现为光刻工艺带来了重要的技术突破。
微新创想：该效应适用于商用及模型MOR，意味着在实际生产中也能实现显著的性能提升。通过优化烘烤过程，可以有效降低EUV光刻所需的照射剂量，从而减少设备的能耗和运行成本。
微新创想：同时，缩短曝光时间有助于提高整个产线的运行效率，使芯片制造过程更加高效。这对于当前半导体行业追求更高产能和更低制造成本的趋势具有重要意义。
微新创想：此举为High NA EUV先进光刻工艺的全流程优化提供了新路径。High NA EUV技术是当前半导体制造中的前沿方向，其高数值孔径特性能够实现更精细的芯片图案化。
微新创想：通过调整氧气浓度对MOR烘烤的影响，研究人员为未来光刻工艺的改进打开了新的可能性。这一成果有望推动半导体制造技术向更高效、更环保的方向发展。
微新创想：随着芯片制程不断缩小，对光刻工艺的要求也日益提高。imec的研究成果不仅有助于提升现有技术的性能，还可能为下一代半导体制造技术奠定基础。