2026年1月16日，韩国媒体率先披露了一则重磅消息：三星电子在第六代10纳米级DRAM（1c nm）制程上的良率已成功突破60%的关键节点，这意味着其生产成本已降至盈亏平衡点以下。这一技术突破不仅为高利润的HBM4内存大规模量产扫清了障碍，更被视为推动三星电子整体业绩实现显著增长的强劲动力。
面对这一重大进展，三星电子迅速调整了原有的生产策略。公司决定将研发重心从单纯追求良率提升，转向以加速量产为核心的新阶段。这一战略转变的核心目标，是希望通过优先满足市场需求，赢得包括英伟达在内的全球顶级客户的批量订单，从而抢占HBM4内存市场的主导地位。
根据市场研究机构TrendForce的最新预测分析，基于当前的技术进展，HBM4内存的正式量产有望在2026年第一季度末顺利实现。值得注意的是，尽管三星电子已率先突破良率瓶颈，但包括SK海力士在内的其他主要内存厂商仍拥有充足的时间窗口，通过持续的技术优化进一步提升生产良率，从而在激烈的市场竞争中保持差异化优势。这一动态格局预示着全球内存产业即将迎来新一轮的技术与市场洗牌