微新创想：据韩媒报道，铠侠（KIOXIA）将第十代BiCS FLASH（BiCS10）量产时间定于2027年，较原计划推迟一年。这一调整表明公司在技术开发与市场策略上的谨慎考量。
BiCS10产品堆叠层数达到332层，相比前一代产品BiCS8，位密度提升了59%。这意味着该产品在单位面积上能够存储更多的数据，从而显著提高存储效率。
I/O接口速率方面，BiCS10达到了4.8Gbps，相较于前代产品有明显提升。这一改进将有助于提高数据传输速度，满足现代设备对高速存储的需求。
BiCS10延续了CBA架构，进一步解耦存储单元与外围电路制造。这种设计优化不仅有助于提升生产效率，还能够增强产品的稳定性和可靠性。
相关投资细节预计将在2026年下半年明确。铠侠计划通过加大投资力度，确保BiCS10的顺利量产和市场推广。
此举旨在满足市场对高容量、高性能NAND闪存的持续增长需求。随着人工智能、大数据、云计算等技术的快速发展，对高性能存储解决方案的需求也在不断上升。铠侠通过推出BiCS10，进一步巩固其在NAND闪存市场中的领先地位。