微新创想：截至2026年2月22日，三星电子韩国平泽园区P2、P3晶圆厂的非尖端制程（4nm/5nm/7nm）代工产线产能利用率已升至约80%。这一数据相较于去年不足50%的水平有了显著提升，显示出三星在非存储器半导体领域的复苏迹象。
此次产能利用率的回升主要得益于HBM（高带宽内存）的量产推动，带动了Base Die订单的大幅增长。同时，外部客户对三星非存储器产品的订单也有所增加，进一步支撑了产能的提升。
随着2nm工艺的逐步投产，三星在先进制程领域的竞争力有望进一步增强。此外，特斯拉和苹果等大客户订单的持续放量，也为三星非存储器半导体业务注入了新的增长动力。
业内普遍认为，三星非存储器半导体业务将在2026年第四季度迎来扭亏的关键拐点。这一变化不仅标志着三星在半导体市场中的地位更加稳固，也为整个行业带来了积极的信号。
未来，三星将继续加大在非存储器领域的投入，通过技术升级和市场需求的拓展，进一步巩固其在全球半导体产业链中的核心地位。这一战略调整或将为公司带来更广阔的盈利空间和市场机遇。
