2026年2月15日至19日，备受全球电子行业瞩目的IEEE ISSCC国际固态电路会议将在美国加州旧金山盛大举行。作为半导体领域最具权威性的技术盛会之一，本次会议将汇聚全球顶尖的存储技术巨头，共同展示前沿的科技创新成果。届时，三星、SK海力士、闪迪-铠侠等业界领军企业将悉数亮相，带来一系列颠覆性的技术突破，为全球用户描绘未来存储技术的宏伟蓝图。
在本次会议上，三星将重点展示其基于混合铜键合技术的VCT垂直单元晶体管设计，这一创新技术将大幅提升存储设备的性能密度。同时，三星还将发布12.8Gbps LPDDR6内存和36GB HBM4显存，前者将显著提升移动设备的运行速度，后者则将为高性能计算提供更强大的内存支持。这些突破性成果充分展现了三星在存储技术领域的领先地位和持续创新能力。
SK海力士作为存储领域的另一巨头，将在此次会议上推出14.4Gbps LPDDR6和48Gbps GDDR7两款革命性产品。14.4Gbps LPDDR6内存将进一步提升移动设备的内存带宽，为用户带来更流畅的使用体验；而48Gbps GDDR7显存则将成为新一代高性能计算平台的理想选择。SK海力士的这些创新成果，将推动移动设备和计算平台性能的再上新台阶。
闪迪-铠侠作为NAND存储技术的领军企业，将在此次会议上发布其最新的六平面2Tb QLC闪存。这款闪存采用了先进的制造工艺和设计理念，将大幅提升存储容量和读写速度，为数据中心和消费电子市场提供更高效、更可靠的存储解决方案。闪迪-铠侠的这次发布，将进一步巩固其在NAND存储领域的领先地位。
本次IEEE ISSCC会议上的创新成果涵盖了DRAM、LPDDR6、GDDR7和NAND等多个关键领域，全面展现了未来高性能计算与存储技术的发展方向。这些突破性技术将深刻影响全球电子产业的发展格局，为用户带来更智能、更高效的使用体验。随着这些技术的逐步商用化，我们可以预见一个全新的存储时代即将到来。