微新创想：2026年3月11日，韩国SK启方半导体宣布完成450至2300伏特碳化硅（SiC）平面MOSFET工艺平台的开发。这项技术成果标志着公司在收购SK powertech之后首次实现了技术整合的实质性落地。该平台在高压环境下经过严格测试，展现出卓越的高可靠性和稳定性，同时良率已超过90%，为大规模生产奠定了坚实基础。
微新创想：SK启方半导体此次推出的SiC平面MOSFET工艺平台，不仅覆盖了广泛的电压范围，还具备出色的性能表现。碳化硅作为第三代半导体材料，因其高击穿电场、高热导率等特性，被广泛应用于新能源汽车、智能电网、工业自动化等领域。该平台的推出将进一步推动这些行业的技术升级与能效提升。
微新创想：目前，SK启方半导体已获得一家专注于SiC设计的企业1200V产品的订单。公司正积极进行相关产品的开发工作，并计划在2027年上半年实现量产。这一进展不仅体现了公司在SiC领域的技术实力，也展示了其在市场拓展方面的强劲势头。
微新创想：随着全球对高效能电力电子器件需求的不断增长，SK启方半导体的这一突破无疑将为其在碳化硅市场中赢得更多份额。未来，公司有望通过持续的技术创新和产品优化，进一步巩固其在半导体行业的领先地位。