2025财年即将结束之际，铠侠公司宣布将在三重县四日市工厂正式启动BiCS9 NAND闪存芯片的量产计划，这款产品将主要面向全球智能手机市场供应。作为公司存储技术研发的重要里程碑，这一举措标志着铠侠在移动存储领域持续领先地位的巩固。
随着技术迭代加速，铠侠已在2026年规划了更宏伟的生产布局。公司将在岩手县北上市全新落成的Fab 2工厂投入下一代BiCS10 3D NAND闪存的生产线。这款采用尖端332层堆叠技术的存储芯片，将支持高达4.8Gbps的I/O传输速率，较前代产品在位密度上实现了惊人的59%提升，这一突破性进展将主要满足数据中心和企业级固态硬盘市场对超大容量存储的迫切需求。
在产品研发策略上，BiCS9闪存展现了铠侠的技术创新智慧。该产品并非从零开始全新设计，而是基于现有生产阵列通过创新的CBA（Chip-to-Array）技术对外围电路进行系统性优化。这种渐进式改进方案既保证了产品性能的显著提升，又有效控制了研发成本和生产周期，体现了铠侠在存储技术发展中的务实与前瞻性。
这一系列存储技术的升级计划，不仅彰显了铠侠在3D NAND领域的持续领先优势，更凸显了公司对市场需求变化的敏锐洞察。从智能手机到企业级应用，铠侠正通过技术创新为不同场景提供定制化的存储解决方案，持续巩固其在全球存储市场的领导者地位。
