2025年12月，全球市场研究机构TrendForce集邦咨询发布最新报告显示，存储器市场正经历供不应求的严峻挑战。受此影响，通用型DRAM价格呈现快速上涨态势，成为近期市场关注的焦点。与此同时，高带宽内存HBM3e市场也迎来强劲增长，由于GPU和ASIC订单量持续攀升，其价格同样呈现明显上扬趋势。
值得注意的是，尽管DRAM和HBM3e价格均出现上涨，但市场分析预测，未来一年内这两种内存产品的平均销售价格差距将显著缩小。这一变化主要源于两大核心因素：一是内存厂商产能调配策略的调整，二是高带宽内存需求呈现持续攀升的态势。这些因素共同推动主流DRAM产品的价值得到上修，进而缩小与HBM3e的价格差距。
从市场发展趋势来看，随着数据中心和人工智能领域的快速发展，对高带宽内存的需求正在不断增长。HBM3e凭借其高带宽、低功耗等优势，正逐渐成为高性能计算设备的首选内存方案。而传统DRAM市场虽然仍保持增长，但增速已明显放缓。这种供需关系的变化，将直接导致两种内存产品的价格走势逐渐趋同。
综合来看，存储器市场正在经历结构性调整期。供不应求的局面虽然短期内推高了内存价格，但长期来看，随着产能的逐步释放和技术的不断进步，市场供需关系将逐渐平衡。未来一年内HBM3e与DDR5价格差距的缩小，正是这一调整过程的直观体现。对于相关产业链企业而言，如何把握这一市场变化，优化产能布局和产品结构，将成为决定未来竞争格局的关键因素。