2026年第二季度，全球存储芯片巨头三星电子与中国西安X2产线以及韩国SK海力士在清州M15厂将同步启动第9代NAND闪存技术的重大投资升级。这一战略举措旨在积极应对人工智能（AI）技术发展带来的存储需求激增，同时扭转过去长期偏重DRAM投资而相对忽视NAND存储的产业格局。
此次投资的核心内容是，三星电子计划将位于中国西安的X2产线从现有的6至7代技术升级至第9代NAND闪存（三星V9），并设定目标月产能达到4万至5万片晶圆。与此同时，SK海力士则将在韩国清州的M15工厂推动产能提升，目标月产量达到约3万片。值得注意的是，当前V9闪存产品的量产规模仍然较小，但三星电子还在韩国平泽P1园区积极筹备新增投资，以进一步扩大产能。
业内专家普遍预测，随着这些重大投资的逐步落实，V9产品预计将在明年开始进入量产加速期。这一时间点的到来将标志着存储芯片产业格局的重大转变，为满足日益增长的AI应用需求提供更强有力的技术支撑。从长远来看，这一系列投资不仅将提升三星和SK海力士的市场竞争力，也将推动整个存储芯片行业向更高性能、更高密度的方向发展。