微新创想(Idea2003.com) 7月13日讯：在人工智能与高性能计算领域，内存技术正迎来革命性突破。随着 HBM 和 DDR5 等新型内存技术在高性能计算中的广泛应用，内存功耗问题日益凸显，成为制约数据中心效率的关键瓶颈。据 Chosun Biz 深度报道，在构建复杂的人工智能模型时，数据中心内存系统的能耗问题已变得尤为突出。以基于英伟达 A100 的数据中心平台为例，DRAM 竟占据总功耗的 40%，这一数据充分揭示了内存功耗的严峻现状。
面对这一挑战，内存制造商正积极寻求解决方案。三星电子与 SK 海力士等业界领军企业，正通过技术创新与学术界深度合作，共同研发下一代低功耗内存技术。其中，三星电子基于 Compute Express Link 技术突破，采用 12 纳米工艺成功研发出 16GB DDR5 DRAM，较上一代产品功耗显著降低 23%。这一创新成果不仅展现了三星在内存制造领域的领先地位，更彰显了其推动数据中心绿色计算的坚定决心。
在产学研协同创新方面，三星电子与首尔国立大学强强联手，致力于进一步降低内存功耗。与此同时，SK 海力士也推出革命性 LPDDR5X 技术，通过将 High-K 金属栅（HKMG）工艺创新性地应用于移动 DRAM，实现了性能与功耗的双重突破。该技术利用高 k 材料独特的介电特性——其介电常数比传统 SiON 绝缘膜高出约五倍，在相同面积和厚度下可存储五倍电荷，从而大幅减少电流泄漏。通过精准控制泄漏电流，SK 海力士的 LPDDR5X 不仅速度提升 33%，更将功耗降低 20% 以上，为移动设备性能革命提供了强大动力。
在韩国，研究机构正积极探索更前沿的内存技术。首尔国立大学推出的 DRAM Translation Layer 技术，通过创新机制预计可将 DRAM 功耗降低 31.6%，这一突破性成果为内存能效提升开辟了全新路径。这些创新不仅彰显了韩国在半导体领域的全球竞争力，更预示着未来数据中心将迎来更加高效、环保的智能计算时代。内存技术的持续革新，正为人工智能、高性能计算等前沿领域注入强劲动力，推动全球数字化进程迈向更高水平
