三安半导体亮相PCIM Asia 展碳化硅全产业链布局及技术突破

9月24日至26日，三安半导体在上海PCIM Asia国际电力电子展上盛大亮相，全面展示了其碳化硅全产业链核心产品与解决方案。展会现场，三安半导体精心呈现了包括SiC MOSFET/SBD、衬底、外延片及车规级模块在内的系列产品，充分彰显了其在碳化硅技术领域的领先地位与创新实力。

为助力客户高效完成系统验证，三安半导体还同步展出了面向新能源汽车与工业应用的自研评估测试板。这些测试板不仅涵盖了多样化的应用场景，更通过精准的参数设计和优化的测试流程，为客户提供了便捷可靠的验证工具，显著提升了开发效率与产品性能。

同期举办的ISES China 2025国际半导体高管峰会上，三安半导体工艺技术研发副总顾子琨博士受邀发表主题演讲。顾博士以”碳化硅MOSFET技术的演进与突破”为题，系统阐述了三安半导体在碳化硅MOSFET技术领域的研发历程与核心成果。演讲中，他重点介绍了公司在产品可靠性提升与导通电阻优化方面的关键突破，深入剖析了技术创新如何推动碳化硅器件性能的持续升级，为行业同仁提供了宝贵的参考与启示。