微新创想：2026年2月，群联电子CEO潘健成发出警告，指出DRAM与NAND闪存的结构性短缺情况远超预期，且预计将持续至2030年甚至更久。这一趋势对整个半导体行业带来了深远影响，尤其是在存储芯片领域。
当前，晶圆厂在市场中占据了绝对的卖方主导地位。它们开始要求客户提前支付未来三年的产能款项，这种做法在以往较为罕见，显示出行业供需关系的剧烈变化。随着这一模式的普及，越来越多的存储芯片制造商面临资金压力，同时也在为未来的产能分配做准备。
从2025年底开始，部分企业可能会因为存储芯片的短缺而被迫停产。这一情况不仅影响了企业的正常运营，也对整个产业链的稳定性构成了挑战。随着短缺问题的加剧，市场上的竞争格局也将发生重大变化。
到了2026年下半年，低利润的品牌或将大规模退出市场。这主要是因为存储芯片价格的上涨和供应的紧张，使得一些无法承担成本的企业难以维持生存。同时，低端产品也可能逐步退市，推动市场向更高附加值的方向发展。
英伟达的Vera Rubin平台成为加剧这一趋势的重要因素之一。据相关数据显示，该平台单一线路就可能消耗超过20%的全球NAND闪存产能。这一需求的激增，不仅对NAND供应造成了巨大压力，也进一步压缩了消费级市场的可用资源。
AI技术的快速发展正在驱动存储需求的激增。随着人工智能在各个行业的广泛应用，对高性能存储芯片的需求持续上升。这使得存储行业不得不重新调整其生产策略和市场布局，以应对不断增长的市场需求。