集邦咨询Trendforce最新发布的权威分析报告揭示，2016年至2023年间，台积电在先进制程领域的专利布局呈现爆发式增长态势，其光刻技术专利数量更是实现了近乎翻倍的突破性增长。报告数据显示，台积电在半导体领域核心专利分类“H01L21”下的申请量从2016年的723件稳步攀升至2023年的1548件，年均复合增长率高达23%。更值得关注的是，包含“光刻”关键词的专利申请量也同步增长至932件，较2016年增长近三倍，这一显著的技术代差进一步巩固了台积电在半导体制造领域的全球领先地位。
这项深入分析基于日本、美国、欧洲及中国等全球主要半导体专利数据库的原始数据，通过多维度交叉验证确保了研究结果的科学性和客观性。数据显示，台积电在光刻技术领域的持续投入不仅体现在专利申请数量的增长上，更体现在专利质量的显著提升。其专利布局已从早期的基础技术突破转向尖端工艺创新，涵盖了从EUV光刻到纳米压印等前沿技术方向，形成了完善的技术护城河。
与此同时，已退出晶圆制造业务但持续深耕半导体技术的IBM公司，通过其位于纽约的全球研发中心，依然保持着对光刻技术的战略投入。IBM与日本Rapidus的深度合作，正致力于突破2nm工艺制程的关键技术瓶颈，这一举措充分印证了研发实力在半导体产业竞争中的决定性作用。尽管IBM已不再直接参与晶圆制造环节，但其持续的技术创新投入，依然在全球半导体产业链中发挥着不可替代的支撑作用。
这一系列专利数据的变化清晰地反映出全球半导体产业的技术竞争格局正在发生深刻变革。台积电通过持续的技术研发投入，不仅巩固了其在先进制程领域的领先优势，更在全球半导体产业中树立了技术创新的标杆。而IBM等企业的持续研发投入，则表明即使退出制造环节，技术积累依然具有不可替代的战略价值，这也为整个半导体产业的可持续发展提供了重要启示。