微新创想：2026年2月，三星电子宣布其1c nm制程DRAM在高温热测试中良率达80%，较2025年第四季度提升10–20个百分点。这一进步标志着三星在先进制程技术上的持续突破。
微新创想：与此同时，HBM4的良率也同步升至近60%。HBM4作为高性能计算和人工智能领域的重要内存产品，其良率提升将有效降低生产成本，提高市场竞争力。
微新创想：该工艺预计于2026年5月前后达到90%的量产门槛。这意味着三星能够更快实现大规模生产，满足日益增长的市场需求。
微新创想：在产能方面，1c nm制程的月投片量将从2025年末的6万片增至2026年下半年的20万片。这一显著增长将为三星带来更高的产出效率和更稳定的供应链。
微新创想：良率与产能的双提升，不仅显著增强了商业化盈利能力，也使三星在高利润的AI内存市场中进一步扩大市场份额。随着人工智能和高性能计算需求的不断上升，三星正加速布局未来内存技术的发展方向。