微新创想：2026年3月，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK Keyfoundry宣布完成碳化硅（SiC）平面MOSFET工艺平台的开发并获得一家新客户的1200V SiC MOSFET产品开发订单
该工艺平台能够支持从450V到2300V的宽电压范围，展现出卓越的适应性与灵活性。这一突破性的技术进展不仅提升了产品的性能表现，也为不同应用场景下的电力电子设备提供了更广泛的选择空间
SK Keyfoundry在研发过程中特别注重产品的高可靠性与稳定性，确保其在复杂工况下仍能保持出色的运行状态。同时，公司实现了超过90%的良率，标志着其在SiC制造领域的工艺成熟度和生产效率达到了新的高度
目前，SK Keyfoundry已全面启动产品开发工作，并制定了明确的量产计划。预计将在2027年上半年实现SiC MOSFET的全面量产，正式进入碳化硅化合物半导体代工市场
此次进军SiC领域，不仅为SK Keyfoundry开辟了新的增长点，也进一步巩固了其在半导体制造行业的领先地位。随着新能源汽车、智能电网等应用的快速发展，SiC器件的需求持续上升，SK Keyfoundry的布局有望带来显著的市场影响力