2025年12月1日，韩国媒体率先披露了一则重磅消息：全球电子巨头三星电子正酝酿重大战略调整，计划大幅削减其1a nm DRAM产能，降幅预计在30%至40%之间。这一决策的核心目标是将生产重心从主要用于高性能计算显存的HBM3E内存，转向利润率更高的1b nm通用内存产品线。据三星内部规划显示，未来将重点发力DDR5、LPDDR5x以及GDDR7等主流通用内存类型。
这一战略转向的背后，是市场需求的深刻变化。近年来，人工智能技术的爆发式增长导致高性能计算需求激增，HBM（高带宽内存）产品因此迎来黄金发展期。然而，持续旺盛的HBM需求却给三星带来了产能瓶颈，导致其通用内存供应紧张，市场价格呈现大幅上涨态势。值得注意的是，这一市场变化使得1b nm工艺的利润率已经反超传统的1a nm工艺，成为三星新的利润增长点。
尽管三星已经成功成为英伟达HBM3E内存的供应商，但实际供货规模相对有限，且产品售价也低于主要竞争对手。这一现状进一步印证了三星调整生产结构的必要性。通过制程转换，三星预计其1b nm工艺的月投片量将提升至8万片晶圆，这一规模扩张将有效缓解当前市场供需矛盾，同时最大化企业整体收益。这一系列战略举措，不仅体现了三星对市场趋势的敏锐洞察，也彰显了其在全球半导体产业中的前瞻布局能力
