2025年12月3日，全球领先的半导体公司安森美科技正式与中国氮化镓（GaN）技术领军企业英诺赛科达成战略合作，双方签署备忘录，共同推动中低电压GaN功率器件的规模化生产。根据协议内容，安森美将依托英诺赛科先进的200mm硅基GaN技术平台，显著扩大其40~200V电压区间功率器件的制造能力，以满足日益增长的市场需求。
此次合作的核心优势在于双方技术的互补性。安森美凭借在系统集成解决方案、高性能驱动器设计以及创新封装技术方面的深厚积累，将为其GaN器件提供全方位的优化支持；而英诺赛科在GaN晶圆制造领域的卓越工艺水平和规模化生产能力，则为安森美提供了坚实的制造基础。通过整合双方的核心竞争力，合作双方有望实现生产效率的跨越式提升，同时有效降低终端系统的整体成本。
从产业协同角度来看，此次合作具有多重战略意义。首先，通过优化生产流程和技术整合，双方能够显著缩短产品研发周期，加快新产品上市速度；其次，基于英诺赛科成熟的晶圆产能，安森美将获得更强的供应链可扩展性，有效应对市场波动；更重要的是，这一合作将推动GaN技术在更多电力电子应用场景落地，包括电动汽车充电桩、数据中心电源、工业变频器等高要求领域，为绿色能源转型提供关键技术支撑。此次合作不仅标志着中美半导体企业深化产业合作的又一里程碑，更预示着GaN技术将在未来电力电子市场中扮演越来越重要的角色。