微新创想：2026年3月，美光在FY2026Q2财报会上宣布，下一代HBM内存HBM4E正按计划开发，预计2027年实现量产。该产品将采用第6代10nm级1γ工艺DRAM裸片，进一步提升性能与能效。
美光同时表示，将导入第7代10nm级1δ工艺，并配套High NA EUV光刻设备。此举旨在提升图案化精度与洁净室效率，从而增强制造过程的稳定性和良率。
此外，美光已签署首份五年期战略客户协议（SCA），替代传统的LTA模式。这一合作模式有助于增强供需稳定性，为客户提供更可靠的产品供应保障。
在市场预测方面，美光预计2026年全球DRAM与NAND供应量将同比增长约20%。然而，PC及智能手机的出货量可能下滑超过10%。这反映出市场需求正在向高性能计算和AI等新兴领域转移。
