微新创想:2026年5月11日,据韩媒ETNEWS报道,三星电子DS部门在DRAM及HBM业务竞争力回升后,启动新半导体业务研发与投资讨论。重点包括400层以上堆叠的V10 NAND闪存、化合物半导体(如GaN、SiC)、先进封装及基板技术。
此前其V9 NAND量产已停滞超两年。新计划依托内部资源富余,旨在抢占下一阶段增长点。8英寸GaN产线预计2026年第二季度投产,SiC产线目标2028年量产。
微新创想:2026年5月11日,据韩媒ETNEWS报道,三星电子DS部门在DRAM及HBM业务竞争力回升后,启动新半导体业务研发与投资讨论。重点包括400层以上堆叠的V10 NAND闪存、化合物半导体(如GaN、SiC)、先进封装及基板技术。
此前其V9 NAND量产已停滞超两年。新计划依托内部资源富余,旨在抢占下一阶段增长点。8英寸GaN产线预计2026年第二季度投产,SiC产线目标2028年量产。