逆周期是强者的机遇、弱者的挑战。在市场波动中，唯有具备前瞻视野和战略定力者方能脱颖而出。本文源自微信公众号最话FunTalk（ID：iFuntalker），作者何伊然，编辑刘宇翔，经微新创想授权转载。
三星电子的寒冬何时终结？2023年7月7日，这家科技巨头公布的第二季度财报揭示了严峻的现实：销售额60万亿韩元，同比骤降22.3%；营业利润仅6000亿韩元，较去年同期锐减95.7%。一季度的6402亿韩元营业利润已是2009年以来的最低点，二季度更是创下历史新低。回溯2022年，受”宅家经济”红利退潮影响，全球消费电子市场销量大幅下滑，库存积压问题严重。IDC数据显示，2022年全球智能手机出货量12.1亿台，创下2013年以来的新低。尽管三星以2.609亿台出货量保持21.6%的市场份额，但绝对数据已难令人满意。韩媒报道指出，经济放缓导致中低价位智能手机需求疲软，换机周期延长，智能机销量持续萎缩。三星2023年智能手机出货量预估降至2.5亿台，低于原定2.7亿台的预期目标。
消费市场的萎缩直接传导至上游芯片产业。作为产业链垂直整合的巨头，三星半导体业务首当其冲。韩国媒体报道称，本季度盈利下滑与数字解决方案（DS）部门巨额亏损密切相关，该部门可能亏损3万亿至4万亿韩元——这一曾被视为”利润奶牛”的部门，如今却成为拖累。但三星的利润降幅略低于市场预期，似乎已显现回暖迹象。更关键的是，半导体作为周期性行业，逆周期操作反而成为强者崛起的契机。
01 AI浪潮下的存储变革
TrendForce报告显示，全球芯片买家因库存饱和而暂缓采购，导致芯片价格季度环比下降13%至18%。存储芯片市场呈现寡头垄断格局：NAND Flash和DRAM合计占比超90%，其中NAND市场由三星、铠侠、美光等六家厂商瓜分，市场集中度达95%；DRAM市场前三名三星、SK海力士、美光合计份额高达95.9%。价格下跌令这些巨头承压，但寡头垄断的市场结构促使它们主动削减供应。7月，三星将DRAM月产量降至62万片晶圆，同比减少12%，创下2021年第三季度以来的新低，减产计划或持续至2024年。分析师预计，供需调整将使芯片价格在第三季度触底，2024年有望显著复苏。高盛更乐观地预测，三星芯片业务第四季度即可扭亏为盈。多家投资机构对芯片市场下半年前景持积极态度。国际半导体产业协会（SEMI）预测，内存DRAM设备销售额今年将同比下降28%，但明年将反弹31%；NAND设备销售额今年将下降51%，明年将反弹59%。
消费电子疲软背后，AI的崛起为DRAM带来新曙光。近年来，DRAM从2D向3D技术演进，HBM（高带宽存储器）成为高端产品代表。这种将多个DDR芯片堆叠封装的技术，通过增加带宽扩展内存容量，使更大模型和更多参数能更近地部署在计算核心附近，显著降低延迟。ChatGPT爆发后，HBM成为AI服务器芯片标配。Nvidia H100芯片中央是H100 GPU ASIC，外围环绕6个HBM内存堆栈。2021年HBM需求仅占整体DRAM市场的不到1%，而TrendForce预估，2023年AI服务器出货量近120万台，到2026年年复合增长率将达22%，带动HBM需求在2023-2025年实现40%-45%以上的年复合增长。汽车领域也将成为HBM重要应用场景。随着智能汽车传感器和计算需求激增，HBM的高带宽优势凸显。尽管HBM3尚未通过汽车认证且成本较高，但业界普遍认为其终将进入汽车应用。2023年初，三星、SK海力士的HBM订单快速增加，HBM3价格上涨5倍。SK海力士以50%市场份额和90%的HBM3份额领先，三星正加速追赶，计划今年下半年推出HBM3，并展示过12层HBM及HBM-4技术。此外，SSD与嵌入式存储为NAND Flash主要形式，预计2022-2028年市场规模将从290亿美元增至670亿美元。
02 逆周期扩张的强者哲学
存储芯片市场历史上三次下行周期（1980、1990、2007年），三星均采用逆周期战略：在低谷期加大研发投入，为上升期创造成本优势。尤其当市场供需关系变化时，技术创新和规模化扩张更为关键。2022年科技企业普遍裁员时，三星却稳住规模，全年人工成本达37.6万亿韩元，占营业利润的79.7%。近期芯片业务部门高管人事调整，凸显其积极进取姿态。TrendForce数据显示，今年一季度三星晶圆代工销售额环比下降36.1%，市场份额从12.4%进一步下滑。台积电虽也环比下降，但市场份额从58.5%升至60.1%，差距持续扩大。三星最关注的是英伟达的AI芯片订单——英伟达占据AI GPU市场90%以上份额，旗舰芯片A100和H100由台积电独家供应。高端芯片价格已接近天花板，台积电6月仍决定扩大产能。其CoWoS封装技术通过3D立体堆叠，使芯片连接速度提升50%以上，成为英伟达、苹果、AMD旗舰产品的关键技术。三星不甘于做元件供应商，正加速向先进封装领域进军。2022年12月成立先进封装（AVP）业务团队，提供一站式服务。其I-Cube 8封装技术可搭载8颗HBM，计划2024年量产。三星称，未来封装中逻辑IC和存储器的整合数量将成为技术竞争力。X-Cube 3D堆叠技术也已进入量产准备阶段。业内人士预测：”三星与台积电的封装战即将爆发。”2022年，三星投资250亿美元在美国德州建厂，计划未来20年投入近2000亿美元建立11家工厂。6月公布的2nm芯片量产计划显示，2025-2027年将陆续推出用于移动、高性能计算和汽车的应用，2027年更将量产1.4nm芯片。
台积电和三星的强势扩张迫使其他竞争对手加大投入。英特尔宣布将晶圆代工事业独立运营，日本八家巨头组建的Rapidus公司则立志复兴日本芯片产业。历史上，三星、台积电等巨头在市场低迷时通过技术突破和规模化扩张挤压对手，占据主导地位后再提价收割利润。如今这一策略再度上演。
03 中国厂商的崛起挑战
三星中国新任总裁杨杰（原半导体销售负责人）展现出不同视角。面对中国消费者对三星认知度下降、手机销量暴跌、工厂关闭等负面印象，杨杰强调三星在华策略是”进入、融入、升级”，与产业升级转型同频共振。他预判：”大数据、AI、新能源汽车等新兴产业将蓬勃发展。”虽然移动终端受中国厂商冲击，但在元件领域，三星依然具备强大竞争力。其8个中国研发中心涵盖通信、AI、半导体、新能源电池等领域，其中西安半导体工厂十年产值突破1000亿元人民币，成为中国存储芯片重要供应方，二期工程正在建设。
中国存储需求占全球约30%，是全球最大芯片市场。在自主可控需求推动下，长江存储、长鑫存储等国产厂商加速崛起。长江存储主营NAND业务，技术已量产232层NAND Flash；长鑫存储是唯一实现量产的国产DRAM厂商，技术达到19纳米。2022年二期工程投产，产能翻倍。国产厂商通过技术突破大幅降低成本：长存NAND占全球6%产能，长鑫DRAM占3%产能。市场认为，长存与三星等国际巨头技术差距约一代，长鑫DRAM领域落后两三代。长鑫要实现16纳米技术至少需要两年，更面临美国出口管制新规的制约。为突破限制，国产厂商正加速设备国产化进程，刻蚀、湿法、封装等工艺取得明显进展。部分新设备预计2023年第三季度到货。
国产化率提升是大势所趋。国内终端厂商已积极适配长存产品，长鑫面临更大挑战——其DDR5产品已接近行业高端。但长存、长鑫的崛起已打破寡头垄断，引发价格战：部分7000M/S PCIe4.0 SSD价格被压至400元。海外巨头也不敢轻易提价。曾经由韩国厂商主导的存储市场，如今因竞争加剧和需求下滑出现贸易逆差。三星深知中国厂商可能复制当年韩国击败日本的经验，因此不仅想抓住中国AI、新能源汽车等产业发展带来的芯片需求，更希望避免重蹈日本厂商覆辙。面对美国出口管制新规，三星和SK海力士的强烈反对促使其获得为期一年的豁免（台积电也在豁免名单）。业内人士表示：”两头下注，才不会一输到底。”
