微新创想(idea2003.com) 9月4日讯 在刚刚过去的第二季度，长期在DRAM市场处于追赶地位的SK海力士（全球知名内存制造商）凭借其高价值、高性能的内存HBM产品实现了逆风翻盘，产品销量火爆异常。这一显著突破使其与全球内存领导者三星电子的市场份额差距骤降至6.3个百分点，创下自2009年以来最小的差距纪录。
根据全球科技产业权威跟踪机构Omdia最新发布的数据显示，SK海力士在4月至6月期间的DRAM销售额高达34亿美元，环比飙升49%。尽管全球DRAM市场在该季度整体销售额达到107亿美元，环比增长15%，但同比下降57%，但SK海力士的强劲表现使其市场份额大幅提升至31.9%，成功夺回DRAM市场亚军宝座，较第一季度提升7.2个百分点，显著超越了美国竞争对手美光科技公司。Omdia报告进一步指出，SK海力士与三星电子的市场份额差距已从第一季度的18.1个百分点缩小至6.3个百分点，这一变化标志着DRAM市场格局的重大调整。
尽管三星电子在第二季度DRAM销售额仍保持41亿美元，继续位居首位，但环比增幅仅为3%，市场份额从42.8%下滑至38.2%。这是自2013年以来三星电子DRAM市场份额首次跌破40%（当时为36.2%），而SK海力士的份额在过去十年中始终徘徊在30%以下。这一市场变局的核心驱动力，正是当前持续火爆的生成式AI热潮。
生成式AI的快速发展对高性能计算提出了严苛要求，需要大量显卡处理海量数据，而为了保证GPU的稳定运行，必须配备多颗高带宽内存芯片。HBM（高带宽内存）作为一种兼具高价值与高性能的内存技术，通过将多个DRAM芯片垂直互连，大幅提升了数据处理速度，成为AI应用的关键基础设施。SK海力士作为全球首家开发HBM芯片的企业，不仅为全球GPU领导者英伟达独家供应第四代HBM-HBM3，还通过向英伟达提供HBM3E样品（即第五代HBM，被誉为业界性能最佳的AI应用DRAM芯片）进行性能评估，巩固了其在HBM市场的领先地位。据市场分析师预测，凭借这一技术优势，SK海力士在HBM市场的领先地位有望持续较长时间。
持续强劲的AI发展趋势预计将为DRAM市场注入新的活力，为SK海力士带来广阔的发展前景。Omdia指出，AI热潮推动HBM产品及其他高性能DRAM芯片销量激增，尤其是128GB及以上大容量内存需求显著增长，有效减缓了DRAM整体价格的下跌趋势。根据Omdia最新预测，HBM需求今年和明年将增长100%（较早前50%的增长预测大幅上调），这一增长主要得益于AI技术的广泛应用。
在整体DRAM价格承压的背景下，高性能DRAM芯片的销量逆势增长，为SK海力士提供了与三星电子一较高下的良机。尽管三星电子在HBM技术布局上稍晚于SK海力士，但这家全球最大的DRAM生产商正在加速追赶，积极投入高价值AI芯片研发以应对SK海力士在DRAM市场的强势崛起。据半导体行业消息人士透露，三星电子预计将很快向美国图形芯片领导者英伟达供应其自主研发的HBM3芯片，此前已向英伟达提供样品进行性能评估。若三星电子的HBM3芯片成功应用于英伟达的A100和H100 Tensor Core GPU，将可能对SK海力士在HBM市场的统治地位构成挑战。消息人士还表示，三星电子已向另一家美国无厂半导体芯片制造商AMD供应其HBM3芯片。
此外，三星电子在DDR5 DRAM领域也取得重大突破，成功开发出容量最大的32Gb DDR5 DRAM。该产品采用业界领先的12纳米工艺技术，容量是16Gb DDR5的两倍，尺寸却与以往DDR5产品几乎相同，同时电能效率比旧型号提升10%。这一创新技术被Omdia评价为非常适合各类AI应用场景，进一步增强了三星电子在高端DRAM市场的竞争力。