2025年上半年，中瓷电子传来振奋人心的消息，其碳化硅芯片晶圆工艺线成功实现从6英寸到8英寸的跨越式升级，目前已全面打通生产线，正式迈入产品迭代优化与客户资源导入的关键阶段。这一技术突破不仅标志着公司在半导体材料领域的技术实力再上新台阶，更为未来高性能芯片的规模化生产奠定了坚实基础。
在陶瓷零部件业务方面，公司自主研发的新产品已顺利通过国产半导体设备的上机验证，并成功实现批量供货。这一成果不仅打破了国外技术垄断，更为国内半导体产业链的自主可控做出了重要贡献。通过与国内顶尖设备的完美兼容，中瓷电子的产品在性能和稳定性上均达到国际一流水平，充分展现了国产化替代的巨大潜力。
在光通信器件领域，中瓷电子的外壳产品已实现2.5Gbps至1.6Tbps速率的全面量产，并持续保持技术领先地位。目前，公司正与客户紧密合作，共同研发更高速率的3.2Tbps产品，以满足未来光通信市场对超大带宽的迫切需求。这一合作不仅巩固了中瓷电子在光通信产业链中的核心地位，更为整个行业的技术进步注入了强劲动力。
值得关注的是，氮化铝多层薄厚膜产品的市场表现尤为亮眼，其增长速度显著超越行业平均水平。这些高性能材料已广泛应用于高频高速光模块、人工智能芯片以及数据中心等新兴场景，成为推动这些领域技术革新的关键材料。中瓷电子凭借在氮化铝材料领域的深厚积累，正逐步成为这些前沿领域的核心供应商，未来发展前景十分广阔。