《韩国经济新闻》最新报道揭示了一则重要行业动态：三星、SK海力士等全球核心半导体供应链巨头已正式向下游客户发布调价通知，计划于2025年第四季度将DRAM和NAND闪存产品价格最高上调30%。这一预期性调价策略不仅获得了市场的高度关注，更得到了花旗银行、摩根士丹利等国际顶级金融机构研究团队的权威背书。根据这些机构的最新行业报告，2025年第四季度DRAM市场的平均售价预期将攀升至25-26美元/GB区间，相较于先前预测的15-16美元/GB，涨幅惊人地扩大了超过10个百分点，显示出市场对价格反弹的强烈信心。
本轮存储芯片行业的价格飙升并非偶然，其背后是人工智能技术革命性突破带来的需求结构性变革。行业深度分析表明，当前涨价潮主要是由AI技术驱动的存储需求爆发式增长所支撑。以谷歌、微软、亚马逊等为代表的全球科技巨头正以前所未有的速度加速布局AI基础设施，其大规模投资建设的AI数据中心对高容量DRAM内存的需求呈现几何级数增长。值得注意的是，AI技术的投资重心正经历关键性转变，从过去以数据训练为主的场景逐渐向推理服务领域延伸，这一趋势进一步刺激了高带宽内存（HBM）产品的市场需求。
高带宽内存（HBM）作为AI数据中心的核心配套存储方案，正迎来前所未有的发展机遇。市场研究机构预测，随着AI应用的持续深化，HBM市场规模将在2030年达到1000亿美元的历史峰值，较当前市场规模实现约三倍的惊人增长。其中，即将于明年量产的12层堆叠HBM4技术将成为市场新宠，其单颗产品价格预计较现有主流HBM产品上涨超过60%，充分彰显了AI技术对高端存储产品的强劲拉动效应。这一系列行业变革不仅预示着存储芯片市场即将进入新的价值周期，也为相关产业链企业带来了历史性的发展机遇。