美光科技首席商务官Sumit Sadana近日在接受《日本经济新闻》采访时，对2026年全球DRAM内存市场形势发表了深度见解。他明确指出，届时市场供应压力将比当前更为严峻，主要源于两大核心因素。一方面，高带宽内存HBM产品对晶圆的消耗效率远超传统DRAM，其资源利用率高达后者的三倍。另一方面，业内主要厂商正加速将产能向HBM领域倾斜，导致传统DRAM产能增长受限。更值得注意的是，新建DRAM晶圆厂的投资成本持续攀升，且建设周期显著延长，使得短期内难以实现大规模扩产。
在产品布局方面，美光科技已制定了清晰的战略规划。Sumit Sadana透露，公司计划于2026年启动小批量交付新一代HBM4产品，这一举措有望显著提升美光在高端内存市场的份额，并逐步缩小与整体DRAM市场份额的差距。这一战略调整不仅体现了美光对新兴内存技术的坚定投入，也彰显了其在全球内存市场中的长远布局。
与此同时，美光科技正积极应对下游应用市场的需求变化。随着智能手机、汽车电子等领域对DRAM内存的搭载量持续攀升，公司已开始与关键客户协商调整车用内存定价策略。这一灵活的市场应对机制，旨在确保供应链稳定并满足日益增长的高端应用需求。此外，为缓解当前市场供需压力，美光还将适当延长DDR4内存的生产周期，以充分满足主流市场的需求。
这一系列战略举措充分展现了美光科技在复杂市场环境下的前瞻性布局。通过技术创新与市场策略的双重驱动，美光正努力在日益激烈的内存市场竞争中保持领先地位，并为全球客户提供更优质、更可靠的内存解决方案。