三星电子近日传来重大技术突破消息，据《朝鲜日报》独家披露，其晶圆代工部门为存储器业务量身打造的4nm工艺HBM4内存逻辑裸片良率已成功突破90%大关，标志着其在先进制程领域的技术实力再攀新高峰。这一创新工艺通过将1cm DRAM裸片与4nm逻辑裸片进行高效整合，不仅实现了性能与成本的完美平衡，更在技术指标上超越了台积电的5nm解决方案，展现出强大的市场竞争力。
据悉，该4nm工艺内部订单已占据三星4nm节点总产能的近半壁江山，有力推动了整个4nm节点的良率提升至80%以上的行业领先水平。随着全球半导体市场对高性能、高密度内存的需求持续增长，HBM内存技术的重要性日益凸显，对逻辑裸片工艺的要求也随之水涨船高。三星存储器部门市场份额的逐步恢复，将为晶圆代工部门带来更多内部订单，形成技术创新与业务拓展的良性循环，进一步巩固其在全球半导体产业链中的领导地位。
业内专家分析指出，三星此次在4nm HBM4内存逻辑裸片良率上取得的突破性进展，不仅展现了其先进的半导体制造技术实力，更预示着其在未来高性能计算、人工智能等领域的广阔应用前景。随着相关技术的不断成熟和成本的进一步优化，三星有望在全球高端内存市场占据更大份额，为其持续的技术创新和业务增长注入强劲动力。这一系列进展不仅提升了三星自身的竞争力，也为整个半导体行业的技术进步树立了新的标杆。