微新创想(idea2003.com) 8月9日电 SK海力士近日震撼发布业界最高层数的NAND技术突破，其创新的321层设计成功打造出容量高达1TB的TLC NAND闪存封装。这一里程碑式成果的详细亮相，正值8月8日至10日在美国圣克拉拉举办的全球顶尖Flash Memory Summit (FMS) 2023盛会。作为首家向外界披露超过300层NAND研发进展的科技巨头，SK海力士不仅展现了其技术前瞻性，更向市场宣告了存储技术新纪元的到来。
该公司表示，凭借已成功量产全球最高238层NAND所积累的深厚技术底蕴，321层产品的研发工作得以顺利推进。这一突破性进展将极大提升存储密度，预计到2025年上半年将实现大规模量产。SK海力士高层强调：”通过打破堆叠技术的物理极限，我们将开创300层以上NAND存储新时代，并确立行业领导地位。”
与上一代238层512Gb NAND相比，新一代321层1Tb TLC NAND在单晶圆生产效率上实现了惊人的59%提升。这一成就源于突破性的堆叠技术，使得单个芯片能够容纳更多存储单元和更大容量数据，从而大幅提高单位晶圆的产出价值。在生成式人工智能浪潮席卷全球的当下，以ChatGPT为代表的AI应用正推动市场对高性能、高容量存储产品的需求呈指数级增长。为满足这一市场变革，SK海力士在FMS上同步展示了面向AI优化的下一代NAND解决方案，包括采用PCIe Gen5接口和UFS 4.0标准的 enterprise级SSD产品。
据行业预测，这些新一代存储产品将实现业界领先性能指标，为高性能计算场景提供强大动力。SK海力士还透露已启动下一代PCIe Gen6和UFS 5.0的研发工作，彰显其持续引领行业创新发展的坚定决心。这一系列技术突破不仅将重新定义存储密度极限，更将深刻影响数据中心、人工智能、云计算等关键领域的应用格局。
