在备受瞩目的CSEAC 2025国际电子展上，拓荆科技董事长吕光泉发表了题为《三维集成：突破存储墙与I/O瓶颈的关键路径》的主题演讲，为集成电路产业的未来发展指明了方向。吕光泉指出，随着摩尔定律逐渐逼近物理极限，传统的平面集成电路设计已难以满足日益增长的存储墙与I/O带宽需求，唯有向三维化演进才是破局之道。
吕光泉强调，实现三维集成电路创新的核心突破在于两大关键技术路径：原子级制造与键合技术，以及先进封装技术。原子级制造通过纳米级精度的材料控制，能够构建出前所未有的微缩结构；而键合技术则实现了异质材料的无缝连接，为多芯片集成提供了坚实基础。这两项技术的协同发展，将彻底颠覆传统芯片制造模式，为性能飞跃奠定基础。
在具体应用层面，三维集成展现出惊人的潜力。通过垂直堆叠和立体互联，I/O带宽可提升千倍以上，这将极大缓解数据传输瓶颈，为人工智能、高性能计算等场景提供强大动力。吕光泉特别指出，高带宽内存（HBM）结构将成为三维集成的首选方案，其三维堆叠设计不仅大幅提升内存容量，更显著降低了延迟。同时，背面供电技术作为配套方案，能够有效解决高密度集成带来的散热难题，进一步推动三维芯片的商业化进程。
展望未来，随着这些关键技术的不断成熟，三维集成电路有望在数据中心、智能终端等领域实现规模化应用，为整个电子产业注入新的活力。吕光泉的发言不仅揭示了行业发展趋势，更为芯片设计厂商指明了技术创新方向，预示着一场存储与计算革命即将到来。