2025年10月25日，北京大学彭海琳教授团队与国内外多家科研机构展开深度合作，在光刻胶微观结构研究领域取得突破性进展。这一研究成果不仅刷新了现有技术认知，更为半导体制造工艺的革新提供了全新思路。通过创新性地应用冷冻电子断层扫描技术，研究团队首次实现了在液相环境中原位解析光刻胶分子的三维结构、界面分布与缠结行为。这一技术突破使科学家们能够直观观察光刻胶在液态状态下的动态变化过程，从而精准识别影响光刻精度的关键因素。
研究发现表明，光刻胶分子在液相环境中的三维结构分布与界面相互作用是决定光刻精度的核心要素。通过高精度成像技术捕捉到的微观结构数据，揭示了传统光刻工艺中难以察觉的分子缠结现象对分辨率产生的显著影响。这一发现为优化光刻胶配方提供了科学依据，也为解决半导体制造中的关键瓶颈问题指明了方向。
基于这一重大发现，彭海琳教授团队迅速将研究成果转化为产业化应用。通过指导企业研发团队，成功开发出新型光刻胶配方与工艺流程，该方案能够显著降低光刻缺陷率，大幅提升光刻精度。这一创新解决方案有望推动国产光刻工艺实现跨越式发展，为我国半导体产业的自主可控奠定坚实基础。
这项具有里程碑意义的研究成果已正式发表于国际顶级期刊《自然·通讯》。该论文以”原位解析光刻胶分子微观结构及其对光刻精度的影响”为题，详细阐述了研究方法、关键发现及应用前景。这一突破不仅彰显了我国在材料科学领域的创新能力，更为全球半导体制造工艺的进步贡献了重要智慧。随着相关技术的不断成熟，国产光刻设备与材料有望在国际市场上占据更有利地位，为我国芯片产业的可持续发展注入强劲动力。
