微新创想:三星电子计划于2026年3月起正式停止在韩国华城园区12号生产线的2D NAND闪存制造
此举标志着其延续十余年的2D NAND时代正式终结
自2013年量产3D V-NAND以来 三星长期保留小规模2D产能以服务特定利基市场
该产线后续将转为支持1c nm DRAM内存的后端金属布线与表面处理工艺 并与华城前端产线协同
同时 三星亦在平泽园区加速扩充1c nm DRAM产能
微新创想:三星电子计划于2026年3月起正式停止在韩国华城园区12号生产线的2D NAND闪存制造
此举标志着其延续十余年的2D NAND时代正式终结
自2013年量产3D V-NAND以来 三星长期保留小规模2D产能以服务特定利基市场
该产线后续将转为支持1c nm DRAM内存的后端金属布线与表面处理工艺 并与华城前端产线协同
同时 三星亦在平泽园区加速扩充1c nm DRAM产能