美光科技正式宣布对其位于纽约州克莱的四座DRAM晶圆厂建设计划进行整体延期调整。根据公司最新发布的环境影响评估报告，原定于2025年第四季度动工的Fab 1项目，现计划推迟至2026年第二季度正式启动，后续各工厂的开工与竣工时间节点也相应顺延。值得注意的是，尽管项目的前期准备工作仍按计划稳步推进，但整体施工节奏明显放缓，预计最终仍将实现2041年全部建成、2045年底完成全面投产的既定目标。
此次延期举措与美光近期与美国政府达成的《芯片与科学法案》新协议高度契合。根据协议内容，美光在美国的产能建设优先级已进行重新排序，克莱园区的新厂项目将次于爱达荷州博伊西新建的晶圆厂。受此影响，原计划配套建设的生活服务设施也将相应延后启动。这一调整充分体现了美光在当前复杂国际形势下，对全球产能布局进行动态优化的战略考量。
尽管建设进度有所放缓，但美光仍将坚守其在美国的长期投资承诺。公司表示，通过此次调整，能够更科学地规划资源配置，确保项目质量与安全，最终实现更可持续的高效运营。未来美光将继续深化与美国政府的合作，共同推动半导体产业的健康发展。