2025年12月11日，全球领先的半导体存储解决方案提供商SK海力士正式宣布，将携手行业巨头英伟达共同推进下一代AI NAND闪存技术的研发进程。这一战略性合作旨在通过技术创新显著提升数据存储性能，并计划在2027年前推出革命性的新一代存储解决方案，其读写速度将比当前主流企业级SSD实现高达30倍的飞跃性突破。
此次合作的核心目标在于构建能够满足人工智能计算领域对高速、大容量存储系统日益迫切需求的技术架构。随着深度学习、机器推理等AI应用场景的持续扩展，高性能存储系统已成为制约AI计算效能的关键瓶颈之一。SK海力士与英伟达的联合研发将有效突破这一技术瓶颈，为AI计算提供前所未有的数据存取能力。
该新一代存储解决方案不仅将大幅提升数据中心的数据处理效率，还将为高性能计算领域带来颠覆性变革。通过优化存储性能与计算能力的协同效率，该技术有望推动数据中心向更智能、更高效的下一代演进。这一合作充分体现了两大企业在半导体存储技术领域的领先地位，预示着AI计算将迎来存储性能的全新纪元。
