2026年1月16日，全球领先的半导体存储解决方案提供商SK海力士正式发布革命性的5-Bit NAND闪存技术，这一突破性创新基于其先进的Multi-Site Cell架构。该技术通过将传统的3D NAND存储单元巧妙地一分为二，实现了存储密度的显著提升。通过采用创新的单元设计，SK海力士成功在每颗存储单元中集成5比特存储能力，这一技术突破不仅大幅提高了存储效率，更为业界带来了前所未有的性能优化方案。
在性能表现方面，5-Bit NAND闪存技术实现了三项关键突破。首先，通过大幅降低工作电压至原有水平的67%，该技术显著提升了能源利用效率，同时确保了存储速度与耐久性不受任何影响。其次，其读取速度较传统的PLC（Planar Cell）闪存提升了整整20倍，为用户带来了极致的访问体验。最后，单颗Die的容量实现了25%的飞跃，这意味着在相同物理空间内可以存储更多数据，有效解决了当前AI应用对海量存储的迫切需求。
SK海力士此次的技术创新，不仅是对现有NAND闪存技术的重大升级，更是对AI时代存储需求的精准回应。随着人工智能、大数据分析等应用的快速发展，市场对高性能、高密度、高可靠性的存储解决方案提出了更高要求。5-Bit NAND闪存技术通过突破性的单元设计，有效规避了QLC（4-Bit）闪存在可靠性与寿命方面的传统缺陷，为数据中心、云计算等领域提供了更为理想的选择。这一技术的推出，不仅巩固了SK海力士在存储领域的领先地位，更为整个半导体行业树立了新的技术标杆，预示着未来存储技术将朝着更高密度、更高性能、更可靠的方向持续演进。