致真存储(北京)科技有限公司近日宣布成功完成数千万元Pre-A轮融资，投资方阵容强大，包括俱成资本、中国互联网投资基金以及京鹏投资等知名机构。此次融资将重点投向研发团队扩充和高端设备采购，旨在全面提升产品研发实力，加速磁性随机存储器（MRAM）芯片的研发进程，并推动生产线建设落地。作为一家以磁存储技术为核心的创新型科技企业，致真存储掌握着芯片设计、研发及生产制造等全链条关键核心技术，依托产学研全链条合作模式，充分发挥国内半导体制造产业链的协同优势，已成功构建面向MRAM芯片产品的全国产化生产制造流程。其核心产品将广泛应用于高可靠电子装置、工业芯片、汽车电子、消费领域以及人工智能等多个前沿行业。
致真存储成立于2019年7月，总部位于北京，已建成青岛研发中心，并计划在未来在上海、无锡、南京、杭州等地设立分公司及研究院，致力于成为全国乃至全球领先的存储芯片解决方案供应商。目前公司团队规模已超80人，拥有核心专利80余项，积极参与国家重点研发计划等多个国家级重点科技项目。在半导体行业这一重要领域，存储芯片占据着举足轻重的地位。2022年全球集成电路产业规模达4744.02亿美元，其中存储芯片规模为1297.67亿美元，占比约22.6%。然而随着集成电路先进工艺制程的持续微缩，传统存储芯片在性能提升方面遭遇瓶颈，以MRAM为代表的新型存储器正成为突破这一困境的关键。
MRAM凭借其兼具静态随机存储器（SRAM）的高速读写能力和闪存（FLASH）的高集成度与非易失特性，展现出巨大潜力。磁存储技术历经三代迭代，目前市面上广泛流通的是第二代自旋转移矩磁存储芯片（STT-MRAM），该产品已应用于智能消费类电子设备、IoT终端及车载芯片等领域，国际半导体制造龙头企业均已实现相关产品的量产。为进一步提升MRAM芯片性能，增强其与半导体先进制程工艺的兼容性（如兼容5nm以下工艺节点），业界正积极研发第三代技术——自旋轨道耦合矩磁存储芯片（SOT-MRAM）。SOT-MRAM在读写速度、寿命、可靠性等性能指标上具有显著优势，可作为Cache级存储器，以嵌入式形式广泛应用于工业芯片、消费电子等领域。目前全球各团队均处于SOT-MRAM研发阶段，市场上尚无成熟产品推出，这为我国在新型存储领域实现弯道超车提供了绝佳机遇。据Yole等权威半导体分析机构预测，全球新型存储器市场未来五年将保持63%的复合增长率，到2030年市场规模预计可达400亿美元。
致真存储团队在自旋存储芯片领域拥有近二十年的科研积累，专注于前沿MARM自旋存储芯片的技术研发与生产，具备从物理层面机理探索、材料研究、电路设计到芯片制造及应用开发的全流程能力，尤其在SOT-MRAM领域的技术水平全球领先。团队提出并实现了一种自旋轨道矩-自旋转移矩协同翻转磁矩的MRAM数据写入方法，构建了高密度MRAM产品的设计，并获得了中美两国授权的门槛性专利。其自主研发的高隧穿磁阻效应垂直隧道结，核心指标超越IBM、IMEC等国际顶尖机构。新一代MRAM芯片采用NAND-SPIN结构，在大幅提升容量的同时兼具速度快、寿命长、功耗低等优势，且与CMOS工艺高度兼容，有效降低了制造难度和成本。
截至目前，致真存储已获得中科创星、普华资本、中电海康等多方战略投资，通过引入产业投资方实现磁存储产业生态链的资源整合。公司已签约青岛市西海岸新区，在地方政府的大力支持下规划建设8英寸和12英寸的新一代存储芯片专用后道加工生产线，项目预计2025年上半年建成，届时将具备磁存储芯片的独立制造能力，一期建设规划年产能可达2万片。谈及未来发展规划，致真存储CEO王戈飞表示：”研发的新一代磁存储芯片具备高速读写、低功耗、耐擦写、高可靠、宽温区等独特优势，是下一代非易失存储芯片的理想选择，将在各个行业发挥重要作用。我们将依托现有8英寸研发平台及12英寸产业资源加快研发进程，同时推动MRAM量产线建设，加速国产磁存储芯片的市场化进程，力争成为国内磁存储行业的领军企业。”
